電感耦合非接觸IC卡系統(tǒng)的EMI問(wèn)題

文章出處：http://m.luckydriving.com 作者：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用   人氣： 發(fā)表時(shí)間：2011年09月17日

引言

射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)近年來(lái)發(fā)展迅速，并獲得了廣泛應(yīng)用。但作為一種無(wú)線(xiàn)射頻技術(shù)，其電磁兼容(EMC)性能也越來(lái)越受到人們的關(guān)注。RFID涉及的頻率范圍甚廣，包括低于135kHz、13.56MHz、433MHz、860－960MHz、2.45GHz、5.8GHz等多個(gè)頻段。本文僅就低于 135kHz和13.56MHz兩個(gè)頻段的電感耦合非接觸RFID卡的電磁干擾(EMI)問(wèn)題結(jié)合相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行介紹和剖析。

電子產(chǎn)品的電磁兼容性

電子產(chǎn)品的電磁兼容性EMC包含兩個(gè)方面：一是電磁干擾EMI，另一是抗電磁干擾能力EMS。EMI是指電子產(chǎn)品產(chǎn)生的任何可能降低其它裝置、設(shè)備、系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物、物質(zhì)產(chǎn)生不良影響的電磁效應(yīng)。EMS是指電子產(chǎn)品在某種電磁環(huán)境下，其性能不致造成惡化的抵御能力。

對(duì)于電子產(chǎn)品EMI的嚴(yán)格限制，體現(xiàn)在很多國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中。制定這些標(biāo)準(zhǔn)的代表性機(jī)構(gòu)和組織有：國(guó)際無(wú)線(xiàn)電干擾特別委員會(huì)CISPR、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO、國(guó)際電工委員會(huì)IEC、美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)FCC、歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)研究所 EISI等。一個(gè)電子產(chǎn)品必須符合相關(guān)的EMI標(biāo)準(zhǔn)，否則不能在該地區(qū)或國(guó)家的市場(chǎng)銷(xiāo)售和使用。

電感耦合非接觸式IC卡的工作頻率范圍和標(biāo)準(zhǔn)

通常，電感耦合非接觸式IC卡的工作頻率為低于135kHz和13.56MHz。工作在13.56MHz的非接觸式IC卡又可分為近耦合IC卡(PICC)和疏耦合卡(VICC)。其讀寫(xiě)器亦被稱(chēng)之為PCD和VCD。

低于135kHz的頻率主要適用于較低成本的應(yīng)答標(biāo)簽芯片。系統(tǒng)的讀寫(xiě)器可以提供較高功率，該頻段對(duì)于非金屬材料和水具有較高的穿透深度，因此在生物識(shí)別、水表等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其載波頻率較低，雖然應(yīng)答器的功耗也較低，但數(shù)據(jù)傳輸速率不高。目前，ISO/IEC18000-2給出了這類(lèi)系統(tǒng)的空中接口標(biāo)準(zhǔn)。

13.56MHz是世界范圍的工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療頻段(ISM)。在此頻段工作的RFID由于載波頻率較高，在應(yīng)答器中可以采用微處理器，因而可以實(shí)現(xiàn)智能非接觸IC卡功能。此外，在此載波頻率下，應(yīng)答器的天線(xiàn)回路可以實(shí)現(xiàn)片上電容和印刷電感的諧振電路，為其應(yīng)用獲得了很大的便利。

13.56MHz射頻識(shí)別主要的標(biāo)準(zhǔn)有：①I(mǎi)SO/IEC 14443，是近耦合IC卡系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)，它又分為T(mén)YPE A和TYPE B兩種；②ISO/IEC 15693，是疏耦合IC卡系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)；③ISO/IEC18000-3標(biāo)準(zhǔn)，它有兩種模式，即MODE 1和MODE 2，MODE 1和ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)兼容，MODE 2給出了相位抖動(dòng)調(diào)制(PJM)等新方法。

低于135kHz的非接觸IC卡的EMI標(biāo)準(zhǔn)

在低于135kHz的非接觸IC卡中，采用125kHz的芯片較多。其讀寫(xiě)器電路的功放為B類(lèi)或D類(lèi)電路，采用具有電感回路的天線(xiàn)發(fā)送器，屬于小功率和微功率發(fā)射。對(duì)于在此頻率范圍的射頻識(shí)別系統(tǒng)，有下述規(guī)范：

允許最大場(chǎng)強(qiáng)
  FCC標(biāo)準(zhǔn)
FCC標(biāo)準(zhǔn)第15部分209節(jié)(FCC part15.209)規(guī)定了其載波的允許場(chǎng)強(qiáng)，是以最大電場(chǎng)強(qiáng)度E給出的,即E不大于(2400/f)µV/m@300m。其中：f為9~490kHz，@300m 表示距離為300m。因此，對(duì)于125kHz頻率，其E應(yīng)不大于19.2µV/m@300m。如果將其換算為dBµV，則E=19.2mV/m為E=20log(19.2/1)=25.66dBµV/m。

  其它標(biāo)準(zhǔn)
在另外一些標(biāo)準(zhǔn)中，允許最大場(chǎng)強(qiáng)是以H場(chǎng)給出的。例如EN300330和德國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)17TR2100。E場(chǎng)和H場(chǎng)表示值可以用下式來(lái)相互推算，即：

H[dBµA/m ]=E[dBµV/m]-51.5dB
在17TR2100中，規(guī)定的極限值為H= 13.5dBµA/m@30m。將此值按上式轉(zhuǎn)換,可以得到E=65 dBµV/m@30m。
如果我們將FCC標(biāo)準(zhǔn)的300 m距離換算為30m，按40dB/十倍距離(自由場(chǎng)的衰減值)增加，則25.66dBµV/m@300m可表示為65.66dBµV/m@30m。從上面的推算看，兩種標(biāo)準(zhǔn)的極限值是差不多的。如果將此表示為10m處的場(chǎng)值，則可得到約為40log(30/10)+13.5=32.5 dBµA/m。

調(diào)制頻帶寬度和寄生發(fā)射
在非接觸IC卡系統(tǒng)的數(shù)據(jù)通信過(guò)程中，由應(yīng)答器向讀寫(xiě)器的通信采用負(fù)載調(diào)制。讀寫(xiě)器向應(yīng)答器的通信常采用間隙振幅移位鍵控(ASK)調(diào)制。這些都需用一定的調(diào)制頻帶寬度。

寄生發(fā)射指的是對(duì)載波頻率或調(diào)制邊帶不做出貢獻(xiàn)的發(fā)射。在非接觸IC卡系統(tǒng)中，讀寫(xiě)器功放和調(diào)制電路是產(chǎn)生諧波和其它頻譜的主要部分。非接觸式IC卡系統(tǒng)在調(diào)制頻帶的場(chǎng)強(qiáng)以及寄生發(fā)射都不能超出EMI有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的允許極限值。

13.56MHz的EMI標(biāo)準(zhǔn)

允許最大場(chǎng)強(qiáng)
  非接觸IC卡標(biāo)準(zhǔn)
在13.56MHz ISO/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定其PCD產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)在1.5A/m_7.5A/m之間。其應(yīng)答器(PICC)的動(dòng)作場(chǎng)強(qiáng)Hmin1.5A/m。在ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定為VCD產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為115mA/m~7.5A/m,應(yīng)答器(VICC)的動(dòng)作場(chǎng)強(qiáng)Hmin1.5m A/m。

  有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)
①FCC標(biāo)準(zhǔn)
FCC part 15.225規(guī)定RFID系統(tǒng)載波頻率范圍為13.56MHz±7kHz，載波場(chǎng)強(qiáng)為30m處10mV/m。
②EN300330(9kHz~25MHz)標(biāo)準(zhǔn)
EN300330標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了第一類(lèi)發(fā)送器(指具有電感回路天線(xiàn)的發(fā)送器，天線(xiàn)由具有一個(gè)或幾個(gè)線(xiàn)圈的繞組構(gòu)成)的載波功率極限值。測(cè)量在H場(chǎng)具有最大值的方向和在自由空間進(jìn)行。EN300330規(guī)定的極限值是42dBµA/m@10m。

幾種標(biāo)準(zhǔn)的相互比較
我們對(duì)上面給出的幾種標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行一些變換并歸一，然后再加以比較。

①I(mǎi)SO/IEC 14443標(biāo)準(zhǔn)
通常，近耦合IC卡系統(tǒng)的作用距離為小于10cm，而從前述可知此時(shí)Hmin1.5A/m，那么我們可以近似估計(jì)離天線(xiàn)0.1m(10cm)處的H場(chǎng)值為 1.5A/m。一般，在非接觸IC卡系統(tǒng)中，在距離λ/2π(對(duì)于13.56MHz頻率，λ/2π=3.5m)內(nèi)為近場(chǎng)，其衰減為60dB/十倍距離；大于λ/2π的作用距離為遠(yuǎn)場(chǎng)，其衰減為20dB/十倍距離。因此，可估算出1m處的H場(chǎng)為1.5m A/m，而3.5m處H場(chǎng)較1米處H場(chǎng)的衰減值大約為60 log (3.5m/1m)=32dB。從3.5m至10m處，可以認(rèn)為進(jìn)入遠(yuǎn)場(chǎng)，此段衰減值為20log(10m/3.5m)=9dB。故10m處的dBµA值為20log1.5mA/m-32-9=22dBµA/m。

②ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)
其作用距離約為50cm，設(shè)此時(shí)的 Hmin= 115m A/m，對(duì)13.56MHz，近場(chǎng)范圍為3.5m，則3.5m處的場(chǎng)強(qiáng)衰減為60log(3.5m/0.5m)=50.7dBmA。3.5m至10m為遠(yuǎn)場(chǎng)，衰減為20log (10m/3.5m)=9dBµA。因此10米處的dBµA值為：20log115mA/m-50.7dBuA-9dBµA=41dBµA

③FCC標(biāo)準(zhǔn)
30m為10m V/m，換算為dB值是80dBµV/m，再換算至10m，增加量為40log(30m/10m)=19dB。換算成dBµA/m為：H=80+19-51=48dBµA/m@10m。

將上面結(jié)果列于表1，則從表1可知，若H場(chǎng)是按RFID標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)計(jì)，就可符合EMI的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

調(diào)制帶寬及諧波發(fā)射
  ISO/IEC 14443的調(diào)制方式
在TYPE A中，PCD向PICC通信采用修正密勒碼的100%ASK調(diào)制。其PICC向PCD通信采用的是曼徹斯特編碼，并且用副載波調(diào)制后進(jìn)行ASK調(diào)制。在 TYPE B中，PCD向PICC通信采用NRZ碼的ASK調(diào)制方式，PICC向PCD通信采用對(duì)NRZ碼(106kbps)進(jìn)行BPSK副載波調(diào)制 (847kHz)，然后用ASK調(diào)制傳送至PCD。

  ISO/IEC 19653
VCD向VICC通信時(shí)，遠(yuǎn)距離采用“256中取1”編碼的10%的ASK。短距離時(shí)采用“4中取1”編碼的100%ASK調(diào)制。VICC向VCD通信采用曼徹斯特編碼，用副載波進(jìn)行調(diào)制(可用ASK或移頻鍵控FSK方式)，然后再用已調(diào)制副載波進(jìn)行對(duì)載波的ASK調(diào)制。
從上述的通信模式可以看出，這些調(diào)制都需要調(diào)制帶寬，因此要注意控制發(fā)射頻譜。FCC規(guī)定諧波功率應(yīng)限制比載波低50dB。

抑制EMI的措施

抑制EMI的措施可以從下面幾個(gè)方面來(lái)考慮：

讀寫(xiě)器射頻前端電路設(shè)計(jì)
在讀寫(xiě)器射頻電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)考慮器件選型、PCB層數(shù)、大小、線(xiàn)路布局、布線(xiàn)、接地及地線(xiàn)配置、屏蔽、濾波等眾多需要兼顧的問(wèn)題。

例如，在讀寫(xiě)器設(shè)計(jì)時(shí)，都需要有晶體振蕩器，多數(shù)石英晶體振蕩器(XO)并沒(méi)有提供內(nèi)在的EMI抑制措施，因此設(shè)計(jì)者采用屏蔽、濾波或特殊的印刷板布局技術(shù)來(lái)使產(chǎn)品通過(guò)EMI考核。但是，MAXIM公司的DS108X系列硅振蕩器采用擴(kuò)譜技術(shù)，可使其峰值EMI降低20dB以上，這為頻率源的選擇提供了新的思路。

在電感耦合式非接觸IC卡系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和調(diào)整中應(yīng)注意下述方面：①天線(xiàn)回路參數(shù)應(yīng)準(zhǔn)確調(diào)諧在載波頻率上。②對(duì)于末級(jí)功放采用D類(lèi)放大器(低于135kHz)或E類(lèi)放大器(13.56MHz)的系統(tǒng)，應(yīng)仔細(xì)調(diào)整電路工作狀態(tài)，減少寄生信號(hào)的產(chǎn)生。此時(shí)，天線(xiàn)回路的Q值對(duì)流過(guò)線(xiàn)圈的電流大小可起調(diào)節(jié)作用，應(yīng)仔細(xì)調(diào)整其電流大小和通信帶寬的關(guān)系。

新調(diào)制方式的選擇
在ISO/IEC 14443、ISO/IEC 19653及低于135kHz的非接觸IC卡系統(tǒng)中，讀寫(xiě)器向應(yīng)答器的數(shù)據(jù)傳輸都采用ASK載波調(diào)制模式，但實(shí)際上移相鍵控PSK調(diào)制在誤碼率、信號(hào)平均功率方面都具有比ASK更好的性能。在前述標(biāo)準(zhǔn)中未被采用，主要是PSK的解調(diào)只能用比較復(fù)雜的相干解調(diào)技術(shù)，而不能用簡(jiǎn)單包絡(luò)檢波方法，而相干解調(diào)電路相對(duì)比較復(fù)雜。

ISO/IEC 18000-3標(biāo)準(zhǔn)中的MODE 2在13.56MHz系統(tǒng)中提出了相位抖動(dòng)調(diào)制(PJM)方法。在讀寫(xiě)器向應(yīng)答器的通信中，利用修正頻率編碼(MEM)對(duì)載波進(jìn)行PJM調(diào)制。通常PSK 的二進(jìn)調(diào)制的兩個(gè)相角是0度和180度，在編碼變化時(shí)出現(xiàn)了載波相位的躍變。相位的較大躍變使頻譜展寬，使功率譜的旁瓣較大，衰減較慢。PJM的兩個(gè)相位角定義在2度的范圍，見(jiàn)圖1。因此相位的變化，即抖動(dòng)減小使信號(hào)譜旁瓣較小，且衰減較快。此外，PJM的另一個(gè)好處是在讀寫(xiě)器向應(yīng)答器通信中，不會(huì)像 ASK調(diào)制因有停頓而使能量場(chǎng)出現(xiàn)間隙，并且可以支持全雙工通信。

因此，新的調(diào)制方式的研究和實(shí)施，也會(huì)給電感耦合的非接觸IC卡的EMI獲得很大改善。

結(jié)語(yǔ)

本文對(duì)電感耦合式非接觸IC卡系統(tǒng)的EMI問(wèn)題作了闡述，應(yīng)該注意，它的EMS能力顯然是很弱的，受篇幅所限，沒(méi)有給予更多的闡述。鑒于我國(guó)的RFID標(biāo)準(zhǔn)尚未正式頒布，因此本文并未涉及。