非接觸式智能IC卡諧振頻率測(cè)量研究
文章出處:http://m.luckydriving.com
作者:葛文啟 申曄 林秋 田濤 祝鵬
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發(fā)表時(shí)間:2011年09月02日
[文章內(nèi)容簡(jiǎn)介]:在非接觸式智能IC卡(以下簡(jiǎn)稱智能卡)測(cè)量領(lǐng)域,對(duì)智能卡的諧振頻率測(cè)量方法尚未形成統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),因此在智能卡設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、生產(chǎn)中,嚴(yán)格地說,不能使用諧振頻率這一參數(shù)作為評(píng)價(jià)依據(jù);而在學(xué)術(shù)領(lǐng)域中討論該參數(shù)的測(cè)量結(jié)果時(shí),也需要對(duì)測(cè)量條件和測(cè)量方法進(jìn)行詳細(xì)的說明,否則基于諧振頻率的討論得出的結(jié)果將是不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)模瑫r(shí)缺乏可信度。
近年來,大到金融、公共交通和社會(huì)保障,小到圖書館、校園和門禁等,智能卡的應(yīng)用領(lǐng)域日益多元化,相關(guān)的智能卡設(shè)計(jì)、生產(chǎn)企業(yè)越來越多。由于智能卡被完全密封,對(duì)其整體電氣參數(shù)L、C、R的測(cè)量造成了困難,而諧振頻率作為能夠反映智能卡天線端口部分電氣參數(shù)的重要指標(biāo),被各企業(yè)及研發(fā)單位廣泛用于設(shè)計(jì)或生產(chǎn)參考,長(zhǎng)期以來被大量使用。但到目前為止,對(duì)于諧振頻率的測(cè)量方法,業(yè)界尚無統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)各環(huán)節(jié)在提及諧振頻率值的時(shí)候,往往忽略其測(cè)量方法以及明確的誤差范圍,因此在智能卡測(cè)量領(lǐng)域,諧振頻率這一參數(shù)的真實(shí)性和可靠性長(zhǎng)期被忽視。
以符合ISO/IEC14443標(biāo)準(zhǔn)的智能卡為例,協(xié)議規(guī)定了通信用載波頻率為13.56MHz,但對(duì)智能卡本身的諧振頻率未規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)值,因此,客觀上造成了目前流通的智能卡諧振頻率的多樣性。目前,按照智能卡的形態(tài),業(yè)界常用的智能卡諧振頻率的測(cè)量方法主要有兩種:
1:LCR電橋或阻抗分析儀測(cè)量;(測(cè)量出L、C值,然后利用公式計(jì)算諧振頻率)
2:頻譜分析儀或網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量。(測(cè)量密封智能卡的諧振頻率)
首先介紹一下如何測(cè)量各部分的電氣參數(shù),然后利用公式計(jì)算諧振頻率。智能卡在物理結(jié)構(gòu)上,主要由三部分組成,1:IC芯片,2:耦合天線,3:封裝材料,如圖1所示,其中封裝材料通常為絕緣材質(zhì),不引入電氣參數(shù),故本文不做深入分析。
智能卡的諧振頻率f
res公式如下:
,可見,f
res取決于等效電路中的電感值和電容值。
從圖1中的虛線L
a/L
b從左往右看,為IC芯片端口部分與諧振頻率相關(guān)的電氣參數(shù),R
ab為IC芯片端口電阻值的總和,C
ic為IC芯片端口電容值的總和,C
mount其含義為IC芯片封裝成模塊時(shí)引入的電容值,如芯片不需要進(jìn)行模塊封裝,則可忽略C
mount。從圖1中的虛線La/Lb從右往左看,為耦合天線部分與諧振頻率相關(guān)的電氣參數(shù),L
coil為耦合天線的電感值,R
coil為耦合天線的電阻值,C
coil為耦合天線的電容值,C
pack其含義為耦合天線在制卡過程中引入的封裝電容值,其值與制卡過程中多種因素相關(guān),視具體情況而定。
依據(jù)圖1的等效電路結(jié)構(gòu),我們將智能卡f
res的計(jì)算公式擴(kuò)充如下:
當(dāng)我們有了詳細(xì)的計(jì)算公式,是否就可以計(jì)算出準(zhǔn)確的f
res呢?實(shí)際情況并非如此。接下來,我們介紹各L、C參數(shù)的測(cè)量方法,以及誤差來源。目前在IC芯片較為常見的模塊封裝形式有XOA2和COB兩種,而且由于C
mount會(huì)受到各模塊加工廠的技術(shù)水平、用料以及靜電防護(hù)等綜合因素的影響,所以各模塊加工廠出產(chǎn)的模塊其C
mount存在差異,且無法給出準(zhǔn)確值,至此,用智能卡的f
res計(jì)算公式引入了第一個(gè)參數(shù)誤差;同時(shí)在智能卡的制卡環(huán)節(jié),由于C
pack會(huì)受到各制卡廠的技術(shù)水平、用料以及加靜電防護(hù)等綜合因素的影響,所以各值卡廠出產(chǎn)的卡片其C
pack也存在差異,且無法給出準(zhǔn)確值,由此引入了第二個(gè)參數(shù)誤差。在實(shí)際計(jì)算中,上述兩個(gè)參數(shù)通常采用經(jīng)驗(yàn)值,由此計(jì)算得到的f
res就會(huì)存在誤差。因此要求我們?cè)谑褂胒
res的時(shí)候,需明確其誤差范圍。特別要強(qiáng)調(diào)的是,對(duì)于不同的條件下加工得到的智能卡,上述兩個(gè)參數(shù)的經(jīng)驗(yàn)值是不可以通用的。
下文將以Agilent 4285A(LCR Meter)配合測(cè)量夾具Agilent 16047E,對(duì)等效電路中的C
ic、L
coil和C
coil進(jìn)行測(cè)量。整體測(cè)量平臺(tái)如圖2所示。
圖2 Agilent 4285A(LCR Meter)和測(cè)量夾具Agilent 16047E
|
由于耦合天線和IC芯片的寄生參數(shù)都會(huì)給測(cè)量結(jié)果帶來誤差,所以選擇合適的等效電路模型,可以有效降低寄生參數(shù)的影響。通常L
coil為小電感,串聯(lián)寄生電阻R
s的影響明顯,因此在測(cè)量L
coil時(shí),采用L
s~R
s 模型;而C
ic較大,并聯(lián)寄生電容R
p的影響明顯, 因此在測(cè)量C
ic時(shí),采用C
p~R
p模型。
上述測(cè)量條件確定后,按照儀器的使用步驟,開機(jī)預(yù)熱和校準(zhǔn)后,我們采用下述方法測(cè)量得到L
coil和30 MHz下的耦合天線的電感值L
m,然后通過L
coil和L
m計(jì)算出C
coil。
1:選擇測(cè)量模型:L
s~R
s。
2:設(shè)置測(cè)量電壓:1V
rms。
3:設(shè)置測(cè)量頻率:1MHz。
4:紀(jì)錄測(cè)量結(jié)果L
s,此即為L(zhǎng)
coil。
5:設(shè)置測(cè)量頻率:f
m=30MHz。
6:紀(jì)錄測(cè)量結(jié)果L
s,此即為L(zhǎng)
m,通過如下公式計(jì)算出耦合天線的C
coil。
我們對(duì)如圖3所示帶有模塊底座的耦合天線樣本進(jìn)行了測(cè)量,為了說明模塊底座對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,我們分別測(cè)量耦合天線帶有模塊底座與去除模塊底座后的L
coil和C
coil。如表1所示。(表中數(shù)據(jù)均為測(cè)量了10次以后的平均值,有效位數(shù)保留到小數(shù)點(diǎn)后2位,下同),比較表1的數(shù)據(jù),可以發(fā)現(xiàn),該模塊底座的存在,對(duì)該耦合天線樣本的L
coil無影響, 但會(huì)使C
coil增加0.16pf。
圖3 帶有模塊底座的耦合天線樣本
|
表1 耦合天線的電感值和電容值
樣本狀態(tài)
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Lcoil/uh
|
Lm/uh
|
Rcoil/ohm
|
Ccoil/pf
|
耦合天線+ 模塊底座
|
5.30
|
22.92
|
9.16
|
4.08
|
耦合天線
|
5.32
|
20.45
|
8.70
|
3.92
|
差值
|
-0.02
|
2.47
|
0.47
|
0.16
|
接下來,我們討論如何測(cè)量IC芯片的端口電容C
ic,樣本如圖4所示,選用的芯片為NXP S50,左邊為模塊底座(同圖3中的底座模塊),右邊為完成完成模塊封裝(XOA2)后的樣本外觀,所以下文中得到的電容值構(gòu)成為“C
ic+ C
mount(C
mount中包含了C
模塊底座)”。
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)
電容測(cè)量方法:
1:選擇測(cè)量模型C
p~R
p。
2:設(shè)置測(cè)量頻率:13.56MHz。
3:設(shè)置測(cè)量電壓:0.5V
rms。
4:記錄測(cè)量結(jié)果C
p:即C
ic+C
mount。
5:增加測(cè)量電壓以0.5Vrms為一個(gè)步進(jìn),重復(fù)3~4步驟。
6:直至測(cè)量電壓大于YV
rms。
其中Y定義為:IC芯片正常工作時(shí)所需要的電壓值。Y的值視具體的IC芯片而定,其此處Y=2。如果IC芯片未進(jìn)行模塊封裝,也可以直接對(duì)C
ic進(jìn)行測(cè)量。
圖4 模塊底座和NXP S50模塊(XOA2)
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表2 IC芯片在不同頻率和電壓條件下的端口電容
測(cè)量頻率
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0.5Vrms
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1Vrms
|
1.5Vrms
|
2Vrms
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11M
|
14.43
|
14.88
|
15.45
|
15.58
|
12M
|
14.42
|
14.86
|
15.43
|
15.56
|
13.56M
|
14.39
|
14.84
|
15.40
|
15.54
|
15M
|
14.37
|
14.82
|
15.37
|
15.51
|
16M
|
14.36
|
14.80
|
15.34
|
15.50
|
17M
|
14.35
|
14.79
|
15.31
|
15.49
|
由表2可見,測(cè)量頻率對(duì)于C
ic+ C
mount之和的影響很小,但不同的測(cè)量電壓,對(duì)于C
ic+ C
mount之和的影響很大,主要是因?yàn)镃
ic是各部分電容的總和,當(dāng)測(cè)量電壓從小到大增加時(shí),C
ic隨著IC芯片內(nèi)部電路的逐漸開啟而減小,當(dāng)測(cè)量電壓增加到IC芯片電路能夠正常工作時(shí),C
ic將維持穩(wěn)定。因此,以測(cè)量頻率13.56MHz為例,測(cè)量電壓從0.5V
rms增加至2V
rms的過程中,IC芯片的會(huì)處于3 種狀態(tài),第一,IC芯片完全不工作(0.5V
rms),第二,IC芯片端口電路部分開啟(1~1.5V
rms),第三,IC芯片端口電路全部開啟(2V
rms)。
不同的測(cè)量電壓條件,反映到諧振頻率中又是如何?我們還需要對(duì)特定環(huán)境下加工的C
mount和C
pack給出經(jīng)驗(yàn)值,由于本文在IC芯片電容的測(cè)量結(jié)果中已經(jīng)包含了C
mount,所以此處僅需給出C
pack,其經(jīng)驗(yàn)值為1.5pf,然后分別將13.56MHz頻率下,將各電容值和電感值帶入公式進(jìn)行計(jì)算,可得到表3。
表3 智能卡的諧振頻率
測(cè)量電壓/Vrms
|
Ccoil/pf
|
Cic+Cmount
|
Cpack/pf
|
Lcoil/uh
|
fres/MHz
|
0.5
|
3.92
|
14.39
|
1.5
|
5.32
|
15.11
|
1.0
|
3.92
|
14.84
|
1.5
|
5.32
|
14.77
|
1.5
|
3.92
|
15.4
|
1.5
|
5.32
|
14.38
|
2.0
|
3.92
|
15.54
|
1.5
|
5.32
|
14.28
|
可見從0.5V
rms至2.0V
rms,f
res出現(xiàn)了約0.83 MHz的波動(dòng),考慮到計(jì)算參數(shù)還中包含了經(jīng)驗(yàn)值C
pack,一方面經(jīng)驗(yàn)值的估算是否準(zhǔn)確尚存疑問;另一方面測(cè)量值C
coil、L
coil和C
ic+C
mount,目前業(yè)界尚無統(tǒng)一的測(cè)量方法,不同測(cè)量條件下,得到的結(jié)果相去甚遠(yuǎn);更有甚者,在f
res的計(jì)算中直接忽略了C
mount和C
pack兩個(gè)參數(shù)。因此,同樣是采用計(jì)算公式,面對(duì)相同的樣本,大家得到的f
res很難達(dá)到統(tǒng)一,那么我們?cè)谑褂胒
res進(jìn)行設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、生產(chǎn)時(shí)不得不小心謹(jǐn)慎,避免由于計(jì)算結(jié)果的不準(zhǔn)確產(chǎn)生對(duì)產(chǎn)品特性的誤判。
其次,當(dāng)我們的測(cè)量樣本為密封狀態(tài)的智能卡時(shí),目前業(yè)界主要采用如下三種測(cè)量方法進(jìn)行智能卡諧振頻率的測(cè)量:
1:帶跟蹤信號(hào)發(fā)生器(RF輸出)功能的頻譜分析儀。
2:不帶跟蹤信號(hào)發(fā)生器的頻譜儀(成本較低),配合信號(hào)發(fā)生器(相當(dāng)于頻譜分析儀的跟蹤信號(hào)發(fā)生器)。
3:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量。
上述三種測(cè)量?jī)x器,原理基本相同,即在某個(gè)頻率區(qū)間內(nèi)以額定的功率發(fā)射信號(hào),無諧振時(shí),在測(cè)量?jī)x器的屏幕上顯示的功率曲線為一條直線,當(dāng)某個(gè)頻率恰好與待測(cè)智能卡的f
res相吻合時(shí),測(cè)量系統(tǒng)就會(huì)產(chǎn)生諧振,使得輸入端檢測(cè)到的功率值達(dá)到最大,此時(shí)觀察測(cè)量?jī)x器的屏幕會(huì)出現(xiàn)一個(gè)波峰或者波谷,該波峰或者波谷對(duì)應(yīng)的頻率值即被稱為智能卡的f
res。下文中會(huì)以頻譜分析儀HP8591E為例。
具體測(cè)量方法如下:
1)在HP8591E的輸出端和輸入端各接一個(gè)線圈(天線),將兩只線圈以水平方式上下疊加,制做成固定的測(cè)量夾具(如圖5所示,圖中智能卡樣本為上海公交卡)。
圖5 HP8591E的測(cè)量環(huán)境
|
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)
2)然后設(shè)定起始頻率和截止頻率,
3)設(shè)定發(fā)射功率,RF端有功率輸出;
4)然后將待測(cè)智能卡放置在夾具上方。(智能卡與天線的間距小于1cm)
5)按
PK SEARCH鍵,頻譜儀界面就會(huì)將MARKER點(diǎn)標(biāo)記到頻譜中功率的最高點(diǎn),如圖6所示。此波峰點(diǎn)對(duì)應(yīng)的頻率即為智能卡的f
res。
圖6 HP8591E測(cè)試得到的非接觸式智能IC卡的fres
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在了解了測(cè)量方法后,我們選取了部分目前上海市場(chǎng)中較常見的智能卡作為測(cè)量樣本,如圖7所示(包括上海市民卡1張、上海公交卡2張、上海地鐵單程票2張、世博海寶交通卡1張、杉德萬通卡1張和華虹餐廳就餐卡1張)。
圖7常見的非接觸式IC卡
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在測(cè)量前,我們需要設(shè)定發(fā)射天線的功率值,為保證測(cè)量到的f
res能夠真實(shí)反映各種智能卡的電氣特性,我們?cè)O(shè)置的起始頻率和截止頻率范圍是10 MHz 至20MHz,設(shè)置的發(fā)射天線功率值通常在10dbm以下,或者是控制輸出電流小于等于20mA。在上述測(cè)量條件確定以后,我們得到了每張智能卡的f
res。
表4 智能卡的諧振頻率
樣本種類
|
fres/MHz
|
樣本種類
|
fres/MHz
|
上海公交卡 1
|
15.80
|
上海市民卡
|
19.25
|
上海公交卡2
|
16.80
|
上海地鐵單程票1
|
17.55
|
杉德萬通卡
|
17.10
|
上海地鐵單程票2
|
18.45
|
世博海寶交通卡
|
14.00
|
華虹餐廳就餐卡
|
14.65
|
表4中諧振頻率的測(cè)量結(jié)果,驗(yàn)證了前文中提到的,目前流通的智能卡諧振頻率的多樣性。但本文強(qiáng)調(diào)的重點(diǎn)在于,我們采用上述方法,測(cè)量f
res得到了表4中的結(jié)果,那么同樣的樣本,不同的測(cè)量?jī)x器,諧振頻率的測(cè)量結(jié)果會(huì)相同嗎?對(duì)此,我們以上海公交卡為樣本,在如圖8所示的測(cè)量?jī)x器及配套的測(cè)量夾具上進(jìn)行了測(cè)量,測(cè)量原理同前,讀取儀器屏幕中波峰值對(duì)應(yīng)的頻率點(diǎn)即為智能卡的f
res(如表5所示)。但因?yàn)槟壳皹I(yè)界對(duì)測(cè)量夾具中天線的線徑、匝數(shù)、面積、間距、材料和相對(duì)位置等參數(shù)尚無統(tǒng)一的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn),因此使用圖8中的測(cè)量夾具時(shí),智能卡需要放置于兩個(gè)天線之間。我們稱該測(cè)量?jī)x器稱為:方法4
圖8 方法4的測(cè)量環(huán)境
|
表5 方法1與方法4的測(cè)量結(jié)果比較
測(cè)量方法
|
樣本種類
|
fres/MHz
|
樣本種類
|
fres/MHz
|
方法1
|
上海公交卡 1
|
15.80
|
上海公交卡2
|
16.80
|
方法4
|
上海公交卡 1
|
17.83
|
上海公交卡2
|
18.3
|
差值/MHz
|
/
|
2.02
|
/
|
1.7
|
通過對(duì)表5的測(cè)量數(shù)據(jù)的分析,不難發(fā)現(xiàn),對(duì)于上海公交卡1,使用方法1和方法4測(cè)量到的f
res差值達(dá)到了2.02 MHz,波動(dòng)比例分別達(dá)到12%和11%,,而對(duì)于上海公交卡2,f
res差值達(dá)到了1.7 MHz,波動(dòng)比例分別達(dá)到10%和9%。至此,回答了前文中提出的疑問,同樣的智能卡在不同的測(cè)量方法下,f
res測(cè)量結(jié)果相差極大,面對(duì)這樣的測(cè)量結(jié)果,顯然缺乏進(jìn)行比較的基礎(chǔ)。此時(shí),即使我們加入了測(cè)量方法的描述,但是由于測(cè)量?jī)x器的不同,測(cè)量夾具不規(guī)范,很顯然,單純的討論f
res是沒有意義的。
那么同樣的樣本,采用同樣的測(cè)量?jī)x器,但是不同的測(cè)量方法,f
res的測(cè)量結(jié)果會(huì)相同嗎?我們?nèi)砸陨虾9豢闃颖?,采用方法一及其配套測(cè)量夾具,僅改變測(cè)量方法中的第4點(diǎn),即待測(cè)智能卡與測(cè)量夾具的間距,然后測(cè)量f
res。如表6所示,以樣本與測(cè)量夾具的間距作為變量,隨著樣本遠(yuǎn)離測(cè)量夾具,得到的f
res呈現(xiàn)單調(diào)下降趨勢(shì)。盡管在表6中f
res從0mm至20mm僅降低了0.35 MHz,該差值的絕對(duì)值并不算大,但是亟待確認(rèn)的是,在什么樣的測(cè)量間距下,得到的f
res才最接近真實(shí)值?另外,測(cè)量環(huán)境的射頻噪聲對(duì)f
res的影響也不容忽視,如果測(cè)量環(huán)境附近有高頻信號(hào)發(fā)射裝置,或者有大的金屬物體,都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成影響,作為實(shí)驗(yàn)室測(cè)量環(huán)境應(yīng)該避免射頻噪聲的影響,本文對(duì)此不再展開。
表6智能卡與測(cè)量夾具的間距與諧振頻率的關(guān)系
上海公交卡1與測(cè)量夾具的間距 /mm
|
fres/MHz
|
上海公交卡2與測(cè)量夾具的間距 /mm
|
fres/MHz
|
0
|
15.80
|
0
|
16.80
|
10
|
15.7
|
10
|
16.65
|
15
|
15.6
|
15
|
16.55
|
20
|
15.5
|
20
|
16.45
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綜上所述,諧振頻率作為智能卡重要的特征參數(shù),因?yàn)闇y(cè)量方便,操作簡(jiǎn)單,而且能夠?yàn)楫a(chǎn)品設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與質(zhì)量控制等方面提供較多的參考信息,因而在業(yè)界越來越受到重視,隨著各企業(yè)和單位對(duì)諧振頻率檢測(cè)能力的提高,f
res逐漸被寫進(jìn)設(shè)計(jì)、檢驗(yàn)規(guī)范中,但由于沒有統(tǒng)一的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn),客觀上造成了測(cè)量結(jié)果的差異,同樣的智能卡,不同企業(yè)和單位給出的諧振頻率測(cè)量結(jié)果往往大項(xiàng)徑庭,而且其測(cè)量結(jié)果的誤差范圍未知。如果各單位均按照自己的理解建立一套檢測(cè)規(guī)范和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn),不但增加了生產(chǎn)成本,而且在對(duì)外溝通中無法有效輸出,反而會(huì)使得業(yè)界對(duì)于智能卡諧振頻率值的定義更加混亂。在華虹設(shè)計(jì)對(duì)于智能卡的諧振頻率測(cè)量中,我們深刻的體會(huì)到,剝離測(cè)量條件、方法去討論諧振頻率的值是不科學(xué)的。所以我們僅把諧振頻率這一測(cè)量結(jié)果作為公司內(nèi)部設(shè)計(jì)的參考標(biāo)準(zhǔn),以及量產(chǎn)階段產(chǎn)品一致性的考核指標(biāo),不作為對(duì)外輸出和業(yè)界交流的標(biāo)桿。因此,我們建議并期待相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)化部門或行業(yè)協(xié)會(huì)能夠盡快制定出諧振頻率的相關(guān)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn),將測(cè)量方法和測(cè)量條件加以統(tǒng)一,使諧振頻率這一重要參數(shù)成為業(yè)界認(rèn)可的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),可以參與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)術(shù)討論,能夠在智能卡領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,推進(jìn)智能卡行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用。
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